K9F4G08U0D-SIB0 συγκεντρωμένα SMT της Samsung μέρη μηχανών τσιπ συστατικό

K9F4G08U0D-SIB0 τμήμα τσιπ της Samsung που συγκεντρώνεται

Πληροφορίες λεπτομέρειας:

1, όνομα μερών: Τμήμα τσιπ

2, πρότυπο: K9F4G08U0D-SIB0

3, εμπορικό σήμα: Samsung

4, όρος: Αρχικός νέος

5, προέλευση: Κορεατικά

• Αριθμός μερών κατασκευαστών:

  K9F4G08U0D-SIB0000

• Κώδικας Rohs:

  Ναι

• Κώδικας κύκλων ζωής μερών:

  Ξεπερασμένος

• Περιγραφή συσκευασίας:

  12 X 20 ΚΚ, 0,50 ΚΚ ΠΙΣΣΑ, ΑΛΟΓΟΝΟ ΚΑΙ ΑΜΟΛΥΒΔΟΣ, ΠΛΑΣΤΙΚΗ, TSOP1-48

• Κατασκευαστής:

  Ημιαγωγός της Samsung

• Τάξη κινδύνου:

  5.84

• Πρόσβαση χρόνος-Max:

  25 NS

• Ενδιάμεσο με τον χρήστη εντολής:

  ΝΑΙ

• Ψηφοφορία στοιχείων:

  Αριθ.

• Jesd-30 κώδικας:

  Ρ-pdso-G48

• Μήκος:

  18,4 χιλ.

• Πυκνότητα μνήμης:

  4294967296 μπιτ

• Τύπος ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης:

  ΛΑΜΨΗ

• Πλάτος μνήμης:

  8

• Αριθμός λειτουργιών:

  1

• Αριθμός τομέων/μέγεθος:

  4K

• Αριθμός τερματικών:

  48

• Αριθμός λέξεων:

  536870912 λέξεις

• Ο αριθμός λέξεων κωδικοποιεί:

  512000000

• Λειτουργών τρόπος:

  ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ

• Λειτουργία θερμοκρασία-Max:

  85 °C

• Λειτουργούν θερμοκρασία-λ.:

  -40 °C

• Οργάνωση:

  512MX8

• Υλικό σώματος συσκευασίας:

  PLASTIC/EPOXY

• Κώδικας συσκευασίας:

  TSOP1

• Κώδικας ισοδυναμίας συσκευασίας:

  TSSOP48, .8, 20

• Μορφή συσκευασίας:

  ΟΡΘΟΓΩΝΙΟΣ

• Ύφος συσκευασίας:

  ΜΙΚΡΗ ΠΕΡΙΛΗΨΗ, ΛΕΠΤΟ ΣΧΕΔΙΑΓΡΑΜΜΑ

• Μέγεθος σελίδων:

  2K λέξεις

• Παράλληλος/παρουσίαση σε συνέχειες:

  ΠΑΡΑΛΛΗΛΟΣ

• Μέγιστη θερμοκρασία επανακυκλοφορίας (CEL):

  ΜΗΝ ΔΙΕΥΚΡΙΝΙΣΜΕΝΟΣ

• Παροχές ηλεκτρικού ρεύματος:

  3/3.3 Β

• Τάση προγραμματισμού:

  3.3 Β

• Θέση προσόντων:

  Κατάλληλος

• Έτοιμος/πολυάσχολος:

  ΝΑΙ

• Ο καθισμένος ύψος-Max:

  1,2 χιλ.

• Μέγεθος τομέα:

  128K

• Ο εφεδρικός τρέχων-Max:

  0,00005 Α

• Υποκατηγορία:

  Αστραπιαίες σκέψεις

• Ανεφοδιασμός τρέχων-Max:

  0,03 μΑ

• Ανεφοδιασμός τάση-Max (Vsup):

  3.6 Β

• Ανεφοδιασμός τάση-λ. (Vsup):

  2.7 Β

• Ανεφοδιασμός τάση-Nom (Vsup):

  3.3 Β

• Η επιφάνεια τοποθετεί:

  ΝΑΙ

• Τεχνολογία:

  CMOS

• Βαθμός θερμοκρασίας:

  ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΟΣ

• Τελική μορφή:

  ΦΤΕΡΟ ΓΛΑΡΩΝ

• Τελική πίσσα:

  0,5 χιλ.

• Τελική θέση:

  ΔΙΠΛΟΣ

• Επανακυκλοφορία του Time@Peak θερμοκρασία-Max (σ):

  ΜΗΝ ΔΙΕΥΚΡΙΝΙΣΜΕΝΟΣ

• Κομμάτι τραβερσών:

  Αριθ.

• Τύπος:

  ΤΥΠΟΣ NAND

• Πλάτος:

  12 χιλ.